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C.M.C.Tech.

Crestal Approach with Membrane Control

C.M.C. Tech.

Crestal Approach with Membrane Control

C.M.C. Tech. 는 술자가 상악동막 거상의 높이를 정확하게
직접 제어 할 수 있도록하는 Sinus lift 기술입니다.
Membrane를 식립하고자 하는 정확한 위치에 제어된 높이로
들어 올리기 때문에 과도한 골 이식재가 필요하지 않으며
감염이나 합병증의 가능성을 최소화 합니다.

FEATURE​
  • 시술자가 직접 상악동막을 조절하여 원하는 정확한 위치와 높이(최대 13mm)로 수월하게 시술이 가능하다.
  • 기존의 lateral approach에서 하는 골이식을 crestal approach로 적용한다.
  • MagiCore를 사용하여, 잔존골이 2mm 이하인 경우에도 primary stability를 확보할 수 있다.
  • 무절개로 시술이 가능하여, 환자의 불편함을 최소화하고 치은 손상과 식립구를 최소화하여 closed-defect 개념의 시술이 가능하다.
CAUTION
  • Magic Sinus Lifter를 적용하기 전 해당 위치의 잔존골 높이를 2mm로 만들기 위해 반드시 Magic Drill 48을 사용해야 한다.
  • Magic Sinus Lifter의 양날이 근-원심으로 향하게 하며 적용 시 약하게 타격한다.
  • Magic Sinus Lifter가 골판을 만들어 상악동 내로 진입할 때 반드시 약하고 천천히 진입시킨다.
  • 원하는 상악동막 거상 높이까지 기구를 역전하지 않으며 거상이 완료된 후 기구를 천천히 후퇴한다.
  • 상악동막 거상 1mm당 0.05cc의 동종골을 사용한다.
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